| 一种新型双Fin ESD防护单元研究 |
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| 引用本文： | 成建兵,周嘉诚,刘立强,张效俊,孙旸. 一种新型双Fin ESD防护单元研究[J]. 微电子学, 2023, 53(2): 321-325 |
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| 作者姓名： | 成建兵 周嘉诚 刘立强 张效俊 孙旸 |
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| 作者单位： | 南京邮电大学 集成电路科学与工程学院, 南京 210023 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61274080) |
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| 摘 要： | 为满足小尺寸器件的ESD防护需求,基于Fin技术,提出了一种具有寄生SCR的STI双Fin结构。通过采用双Fin布局和深掺杂技术,减小了器件的基区宽度,避免了Fin技术中由弱电导调制导致的SCR无法开启的现象。仿真结果表明,相比于DFSD结构,新结构失效电流It2/Wlayout从21.67 mA/μm增加到28.33 mA/μm;触发电压Vt1从14.08 V减小到9.64 V。在ESD来临时,新结构能够实现有效的开启,泄放大电流。
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| 关 键 词： | 鳍式场效应晶体管 电导调制 深掺杂 静电放电 |
| 收稿时间： | 2022-03-11 |
Research on a Novel Double-Fin ESD Protection Unit |
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| CHENG Jianbing,ZHOU Jiacheng,LIU Liqiang,ZHANG Xiaojun,SUN Yang. Research on a Novel Double-Fin ESD Protection Unit[J]. Microelectronics, 2023, 53(2): 321-325 |
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| Authors: | CHENG Jianbing ZHOU Jiacheng LIU Liqiang ZHANG Xiaojun SUN Yang |
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| Affiliation: | College of Integrated Circuit Science and Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210023, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | FinFET conductivity modulation deep doping ESD |
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