| 一种100 MHz~12 GHz高功率SPDT射频开关 |
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| 引用本文： | 袁波,吴秀龙,谢卓恒,赵强,秦谋.一种100 MHz~12 GHz高功率SPDT射频开关[J].微电子学,2023,53(3):385-389. |
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| 作者姓名： | 袁波 吴秀龙 谢卓恒 赵强 秦谋 |
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| 作者单位： | 重庆西南集成电路设计有限责任公司, 重庆 401332;安徽大学 集成电路学院, 合肥 230601;中国电子科技集团公司第二十四研究所, 重庆 400060 |
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| 基金项目： | 重庆市技术创新与应用发展专项项目(CSTC2021 JSCX-GKSB0092) |
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| 摘 要： | 基于0.13 μm CMOS SOI工艺,设计并实现了一种100 MHz~12 GHz高功率SPDT射频开关。该射频开关为吸收式射频开关,开关支路为串并联的拓扑结构。采用负压偏置设计,减小了插入损耗,提高了隔离度。采用多级开关管堆叠设计,提高了开关的输入1 dB 压缩点。测试结果表明,在100 MHz~12 GHz频率范围内,该射频开关插入损耗小于1.5 dB,隔离度大于31 dB,输入1 dB 压缩点大于40 dBm。芯片尺寸为1.1 mm ×1.1 mm。
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| 关 键 词： | 高功率 高隔离度 射频开关 SOI |
| 收稿时间： | 2022/8/3 0:00:00 |
A 100 MHz-12 GHz High Power SPDT RF Switch |
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| YUAN Bo,WU Xiulong,XIE Zhuoheng,ZHAO Qiang,QIN Mou.A 100 MHz-12 GHz High Power SPDT RF Switch[J].Microelectronics,2023,53(3):385-389. |
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| Authors: | YUAN Bo WU Xiulong XIE Zhuoheng ZHAO Qiang QIN Mou |
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| Affiliation: | Chongqing Southwest Integrated Circuit Design Co., Ltd., Chongqing 401332, P.R.China;The School of Integrated Circuits, Anhui University, Hefei 230601, P.R.China; Sichuan Institute of Solid-State Circuits, China Electronics Technology Group Corp., Chongqing 400060, P.R.China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | high power high isolation RF switch SOI |
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