| 一种具有抗dV/dt噪声能力的600 V HVIC |
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| 引用本文： | 郭俊杰,徐申,常昌远,孙祎轩,叶佳玲. 一种具有抗dV/dt噪声能力的600 V HVIC[J]. 微电子学, 2023, 53(4): 641-646 |
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| 作者姓名： | 郭俊杰 徐申 常昌远 孙祎轩 叶佳玲 |
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| 作者单位： | 东南大学 微电子学院, 南京 210096 |
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| 基金项目： | 江苏省自然科学基金资助项目(BK20201147) |
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| 摘 要： | 设计了一种改进的电平移位电路。该电路采用交叉耦合结构，在不明显增加电路复杂度的情况下，显著提高了高压栅极驱动集成电路(HVIC)的噪声免疫能力。整个驱动器基于0.35μm 600 V BCD工艺设计。仿真结果表明，设计的HVIC可以实现高达125 V/ns的dV/dt噪声免疫能力，并在15 V电源电压下允许VS负电压过冲达到-9.6 V。此外，从理论上分析了改进电平移位电路的本级传输延时。同传统HVIC相比，设计的HVIC整体的传输延时得到了优化，降低到54 ns左右。
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| 关 键 词： | 电平移位电路 交叉耦合结构 高压栅极驱动集成电路 噪声免疫 传输延时 |
| 收稿时间： | 2022-08-21 |
A 600 V High Voltage Gate Drive IC with dV/dt Noise Immunity |
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| GUO Junjie,XU Shen,CHANG Changyuan,SUN Yixuan,YE Jialing. A 600 V High Voltage Gate Drive IC with dV/dt Noise Immunity[J]. Microelectronics, 2023, 53(4): 641-646 |
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| Authors: | GUO Junjie XU Shen CHANG Changyuan SUN Yixuan YE Jialing |
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| Affiliation: | School of Microelectronics, Southeast University, Nanjing 210096, P. R. China |
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