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基于HBT工艺的低三阶交调失真射频放大器优化设计
引用本文:熊翼通,喻阳,蒲颜,张峪铭,王国强. 基于HBT工艺的低三阶交调失真射频放大器优化设计[J]. 微电子学, 2023, 53(2): 255-260
作者姓名:熊翼通  喻阳  蒲颜  张峪铭  王国强
作者单位:中国电子科技集团公司第二十四研究所, 重庆 400060
摘    要:针对宽带大信号容量无线系统对低三阶交调失真射频放大器的迫切需求,从放大器偏置点优化和片上散热优化两个方面研究了基于HBT工艺的低三阶交调失真射频放大器优化设计方法。分析了达林顿复合结构射频放大器交调特性与直流偏置点的关系,给出了放大器最佳三阶交调直流偏置点。提出了一种优化散热的输出级分散布局电路结构,减小了片上温升带来的三阶交调性能恶化。应用提出的优化设计理论方法,基于2μm AlGaAs/GaAs HBT工艺,设计了一款工作于0.05~1 GHz的低三阶交调失真射频放大器。测试结果表明,该放大器实现了42.1 dBm的输出三阶交调点,三阶交调与1 dB压缩点之比达到了21.2 dB。

关 键 词:HBT  射频放大器  三阶交调
收稿时间:2022-05-05

Optimization Design of HBT Based RF Amplifiers with Low Intermodulation
XIONG Yitong,YU Yang,PU Yan,ZHANG Yuming,WANG Guoqiang. Optimization Design of HBT Based RF Amplifiers with Low Intermodulation[J]. Microelectronics, 2023, 53(2): 255-260
Authors:XIONG Yitong  YU Yang  PU Yan  ZHANG Yuming  WANG Guoqiang
Affiliation:The 24th Research Institute of China Electronics Technology Group Corp.,Chongqing 400060,P.R.China
Abstract:
Keywords:HBT   RF amplifier   3rd order intercept point
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