| 碳化硅晶片表面质量差异影响因素研究 |
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| 引用本文： | 樊元东,李晖,王英民,高鹏程,王磊,高飞. 碳化硅晶片表面质量差异影响因素研究[J]. 微电子学, 2023, 53(3): 531-535 |
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| 作者姓名： | 樊元东 李晖 王英民 高鹏程 王磊 高飞 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司 第四十六研究所, 天津 300220 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划项目(2021YFB3600019) |
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| 摘 要： | 分析了金刚石线锯多线切割150 mm SiC晶片的表面形貌及质量,通过测试SiC片Si面和C面的表面粗糙度(Ra),发现C面Ra值约为Si面的2倍。在切割过程中晶片向Si面弯曲,使锯丝侧向磨粒对Si面磨削修整作用更强,从而使晶片Si面更加光滑。此外,通过显微截面法测试了SiC晶片两面的损伤层深度。结果表明,Si面损伤层深度约为7.89 μm,明显低于C面的13.8 μm,显微镜下观察到截面边缘更加平整。该方法进一步证明了多线切割时晶片向Si面弯曲,使锯丝侧向磨粒对Si面的磨削效果更强,从而造成SiC晶片两面表面形貌和质量存在差异。
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| 关 键 词： | SiC晶片 表面损伤层 表面粗糙度 弯曲度 |
| 收稿时间： | 2023-04-28 |
Study on Factors Influencing Differences of Surface Quality of Silicon Carbide Wafers |
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| FAN Yuandong,LI Hui,WANG Yingming,GAO Pengcheng,WANG Lei,GAO Fei. Study on Factors Influencing Differences of Surface Quality of Silicon Carbide Wafers[J]. Microelectronics, 2023, 53(3): 531-535 |
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| Authors: | FAN Yuandong LI Hui WANG Yingming GAO Pengcheng WANG Lei GAO Fei |
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| Affiliation: | The 46th Research Institute of China Electronics Technology Corporation, Tianjin 300220, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiC wafer subsurface damage layer surface roughness Bow |
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