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一种无片外电容的快速响应FVF-LDO
引用本文:曲直,曹海祥,崔碧峰,陈芬,冯靖宇,李晋恒.一种无片外电容的快速响应FVF-LDO[J].微电子学,2023,53(4):636-640.
作者姓名:曲直  曹海祥  崔碧峰  陈芬  冯靖宇  李晋恒
作者单位:北京工业大学 微电子学院 光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124;同源微半导体技术有限公司, 北京 100094
基金项目:北京市自然科学基金资助项目(4202010);国家自然科学基金资助项目(61731019)
摘    要:提出了一种无片外电容、快速瞬态响应、宽输入电压范围的低压差线性稳压器(LDO)。该电路基于翻转电压跟随器(FVF)结构,不需额外增加辅助电路,仅使用两个电容作为检测模块,以动态调整瞬态响应,能够弥补传统LDO集成度低、面积大、功耗高、瞬态响应差的不足。电路基于TSMC 180 nm CMOS工艺。仿真结果表明,该LDO的压差为200 mV,静态电流为36μA,输入电压范围为2~4 V,低频时PSRR为-59 dB。在30 pF负载电容、0~10 mA负载电流、150 ns阶跃时间条件下,产生的上冲电压为50 mV,下冲电压为66 mV,瞬态电压恢复时间为300 ns。

关 键 词:电源管理  低压差线性稳压器  无片外电容  快速瞬态响应
收稿时间:2022/10/5 0:00:00

A Fast Response FVF-LDO with Capacitor-Less
QU Zhi,CAO Haixiang,CUI Bifeng,CHEN Fen,FENG Jingyu,LI Jinheng.A Fast Response FVF-LDO with Capacitor-Less[J].Microelectronics,2023,53(4):636-640.
Authors:QU Zhi  CAO Haixiang  CUI Bifeng  CHEN Fen  FENG Jingyu  LI Jinheng
Affiliation:Beijing Optoelectronics Technology Laboratory, College of Microelectronics, Beijing University of Technology, Beijing 100124, P.R.China;Semiconductor of Tongyuan Company, Beijing 100094, P.R.China
Abstract:
Keywords:power management  LDO  capacitor-less  fast transient response
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