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责任编辑
分类号
杂志ISSN号
中子辐照和掺杂区熔硅的DLTS缺陷和少子寿命
作者姓名:
孟祥提
张秉忠
杜永昌
张玉峰
作者单位:
清华大学核能所(孟祥提,张秉忠),北京大学物理系(杜永昌),北京大学物理系(张玉峰)
摘 要:
本文给出了中子辐照和掺杂区熔硅的少子寿命和DLTS缺陷随退火温度变化的关系,中子辐照剂量和成晶气氛对少子寿命回复和DLTS缺陷退火的影响,并作了讨论.
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