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| 中子辐照和掺杂区熔硅的DLTS缺陷和少子寿命 | |
| 引用本文： | 孟祥提,张秉忠,杜永昌,张玉峰.中子辐照和掺杂区熔硅的DLTS缺陷和少子寿命[J].半导体技术,1984(3). |
| 作者姓名： | 孟祥提 张秉忠 杜永昌 张玉峰 |
| 作者单位： | 清华大学核能所 (孟祥提，张秉忠)，北京大学物理系 (杜永昌)，北京大学物理系(张玉峰) |
| 摘 要： | 本文给出了中子辐照和掺杂区熔硅的少子寿命和DLTS缺陷随退火温度变化的关系,中子辐照剂量和成晶气氛对少子寿命回复和DLTS缺陷退火的影响,并作了讨论. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |