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256MDRAM时代的离子注入机
作者姓名:
村上隆志 高桥武人
摘 要:
256MDRAM时代的离子注入机村上隆志,高桥武人,川崎洋司随着DRAM器件高密度的发展,对离子注入机提出了更高的要求,离子注入技术为适应这种需求也迅速发展起来。DRAM各个时期的设计尺寸、圆片尺寸、离子注入技术的发展过程如图1所示。近几年来,中束流...
关 键 词:
离子注入机 DRAM 平行束扫苗
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