场效应晶体管的中高频栅噪声

在较高频率下,场效应晶体管的栅噪声随频率的上升迅速增加。这种影响可以归结为导电沟道的热噪声,是由沟道和栅间的电容耦合引起的。这种噪声可以分别由栅和漏的噪声电流发生器 i_g 和 i_d 表示;发展了一种对于中高频计算 i_g~2、i_d~2和(?)的近似方法。i_g 和 i_d 的相关系数是个虚数,且在饱和条件下其值约为0.40j。i_g~2可以由噪声电阻 R_n 和栅一源电容 C_g,表示。已经证明,相关系数仅微弱地影响噪声系数 F,而(F_(min)-1)在宽频范围内随ωC_(g3)R_n 变化。