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| GIS在快速暂态过电压下的放电特性 | |
| 引用本文： | 陈庆国,张乔根,邱毓昌,魏新劳,麻春. GIS在快速暂态过电压下的放电特性[J]. 电网技术, 2000, 24(9): 1-4 |
| 作者姓名： | 陈庆国 张乔根 邱毓昌 魏新劳 麻春 |
| 作者单位： | 1. 西安交通大学电气学院,陕西省,西安市,710049 2. 哈尔滨工业大学电力系,黑龙江省,哈尔滨市,150001 3. 黑龙江电力职工大学,黑龙江省,哈尔滨市,150030 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目! ( 5980 70 0 6) |
| 摘 要： | ＳＦ６气体绝缘开关装置（ＧＩＳ）中的隔离开关在操作时产生的快速暂态过电压（ＶＦＴＯ），会造成ＧＩＳ的绝缘击穿事故。对ＶＦＴＯ作用下的ＧＩＳ击穿特性进行了研究，同时通过光电检测的方法研究了雷电冲击和快速振荡冲击电压作用下的预放电特性。实验结果表明，由金属导电微粒所导致的绝缘子表面电荷积聚是造成ＶＦＴＯ作用下的放电电压比雷电冲击下放电电压低的主要原因。 |
| 关 键 词： | GIS 快速暂态过电压 放电特性 SF6间隙 |
| 文章编号： | ： |
DISCHARGE CHARACTERISTICS OF GIS UNDER VERY FAST TRANSIENT OVERVOLTAGE |
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| CHEN Qing-guo,ZHANG Qiao-gen,QIU Yu-chang,WEI Xin-lao,MA Chun. DISCHARGE CHARACTERISTICS OF GIS UNDER VERY FAST TRANSIENT OVERVOLTAGE[J]. Power System Technology, 2000, 24(9): 1-4 | |
| Authors: | CHEN Qing-guo ZHANG Qiao-gen QIU Yu-chang WEI Xin-lao MA Chun |
| Abstract: | Insulation failure inside or outside GIS can be caused by very fast transient overvoltage (VFTO) generated during operating disconnectors in GIS. Hence, the breakdown characteristics of GIS stressed by VFTO are studied,and the photo|electronic measurements are carried out to investigate the discharge behavior stressed by VFTO or LI. The test results show that the space charge accumulation produced by corona discharge of the metal particle on the spacer is the main reason causing the insulation failure of GIS. |
| Keywords: | SF 6 gap spacer VFTO discharge characteristics GIS |
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