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一种5位10 GHz SiGe BiCMOS比较器
引用本文:潘杰,朱樟明,杨银堂. 一种5位10 GHz SiGe BiCMOS比较器[J]. 微电子学, 2006, 36(2): 192-196
作者姓名:潘杰  朱樟明  杨银堂
作者单位:西安电子科技大学,微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071
基金项目:国家自然科学基金资助项目(60476046),国家部委基金资助项目(51408010304DZ0140)
摘    要:SiGe BiCMOS提供了性能极其优异的异质结晶体管(HBT),其ft超过70 GHz,β>120,并具有高线性、低噪声等特点,非常适合高频领域的应用。基于SiGe BiCMOS工艺,提出了一种高性能全差分超高速比较器。该电路由宽带宽前置放大器和改进的主从式锁存器组成,采用3.3 V单电压源,比较时钟超过10 GHz,差模信号电压输入量程为0.8 V,输出差模电压0.4 V,输入失调电压约2.5 mV;工作时钟10 GHz时,用于闪烁式A/D转换器可以达到5位的精度。

关 键 词:SiGe  BiCMOS  异质结晶体管  全差分  比较器
文章编号:1004-3365(2006)02-0192-05
收稿时间:2005-07-19
修稿时间:2005-07-192005-09-21

A 5-Bit 10-GHz SiGe BiCMOS Comparator
PAN Jie,ZHU Zhang-ming,YANG Yin-tang. A 5-Bit 10-GHz SiGe BiCMOS Comparator[J]. Microelectronics, 2006, 36(2): 192-196
Authors:PAN Jie  ZHU Zhang-ming  YANG Yin-tang
Abstract:
Keywords:SiGe  BiCMOS  HBT  Fully differential  Comparator
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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