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| As~+注入SOI的快速热退火研究 | |
| 引用本文： | 林成鲁,邹世昌.As~+注入SOI的快速热退火研究[J].半导体学报,1987,8(6):631-636. |
| 作者姓名： | 林成鲁 邹世昌 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室 (林成鲁)，中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室(邹世昌) |
| 摘 要： | CW Ar~+激光再结晶的 SOI薄膜中注入能量为100keV,剂量为1×10~(13)-1×10~(16)cm~(-2)_的As~+,然后以高频感应的石墨加热器进行快速热退火.退火时As的表面损失可以用氮气保护加以抑制.用RBS、SIMS结合扩展电阻测试等技术研究了杂质在SOI材料中的扩散行为.在一定的退火条件下,原子浓度与载流子分布出现双峰,这是杂质在晶粒内部的慢扩散与沿晶粒边界的快扩散两种不同的扩散机制形成的. |
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