| ZnO:Ga透明导电膜的低温制备及特性研究 |
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| 引用本文： | 余旭浒 马瑾 计峰 王玉恒 宗福建 张锡健 程传福 马洪磊. ZnO:Ga透明导电膜的低温制备及特性研究[J]. 功能材料, 2004, 35(Z1): 1131-1133 |
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| 作者姓名： | 余旭浒 马瑾 计峰 王玉恒 宗福建 张锡健 程传福 马洪磊 |
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| 作者单位： | 余旭浒（山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100）;马瑾（山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100）;计峰（山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100）;王玉恒（山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100）;宗福建（山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100）;张锡健（山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100）;程传福（山东师范大学,物理系,山东,济南,250014）;马洪磊（山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100） |
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| 基金项目： | 教育部科学技术研究重点项目(02165);博士点基金资助项目(20020422056) |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出高质量的镓掺杂氧化锌(ZnOGa)透明导电膜,对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的ZnOGa是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.薄膜的最低电阻率达到了3.9×10-4Ωcm,方块电阻～4.6Ω/□,薄膜具有良好的附着性,在可见光区的平均透过率达到90%以上.
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| 关 键 词： | 磁控溅射 ZnOGa 光电特性 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)增刊-1131-03 |
| 修稿时间： | 2004-01-15 |
Preparation and characterization of ZnO:Ga films prepared by r.f. magnetron sputtering at low temperature |
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