等离子体浸没Pd离子注入为选择性Cu无电镀形成活化图形

应用等离子体浸没Pd离子注入技术和Cu无电镀实现了Cu互连的选择性电镀。Pd原子从带负电压的靶上被溅射出来,然后在ArECR等离子体中电离成离子并注入到带负脉冲高压的SiO_2基片中。本研究发现:Cu电镀所需的Pd活化剂剂量为5×10~(14)/cm~2量级;直接的Pd PⅢ注入,可省去通常的使用PdCl_2溶液的中间活化步骤。