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| 加热的GaAs中锰和铁的热再分布 | |
| 引用本文： | P.F.R.Nordquist,陈现应.加热的GaAs中锰和铁的热再分布[J].微纳电子技术,1982(4). |
| 作者姓名： | P.F.R.Nordquist 陈现应 |
| 摘 要： | 应用光学、电学、质谱和谐振技术,发现非掺杂的体GaAs样品中锰和铁的本底浓度为(?)10~(15)cm~(-3),当加热时进行再分布,于近表面区形成一个浓度约为10~(17)cm~(-3)的薄(1～3μm)层,并指出锰的再分布能引起表面导电类型的改变。 |
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