|
|||||
|
|
| End—Hall离子源及其辅助镀膜技术 | |
| 引用本文： | 苗静.End—Hall离子源及其辅助镀膜技术[J].西安工业大学学报,2007,27(5):490-490. |
| 作者姓名： | 苗静 |
| 摘 要： | 由西安工业大学自行研制的End-Hall离子源，已经成功在离子辅助镀膜中镀制了ZnS，MgF2，SO2等薄膜，其光学性能，耐磨，耐酸，碱等性能大大提高，近几年来利用中空离子源采用CH4气体成功镀制出类金刚石薄膜红外线光学保护膜材料． |
| 关 键 词： | 离子源 镀膜技术 类金刚石薄膜 离子辅助镀膜 光学性能 保护膜材料 工业大学 MgF2 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |