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| 硅基薄膜太阳电池(九) | |
| 作者姓名： | 张晓丹 赵颖 熊绍珍 |
| 作者单位： | 1. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 2. 光电信息技术科学教育部重点实验室 3. 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 |
| 摘 要： | 三单结硅基薄膜太阳电池的结构和工作原理1硅基薄膜太阳电池结构在常规的单晶和多晶太阳电池中,通常用p-n结结构。但对于硅基薄膜电池,所用的材料通常是非晶和微晶材料,由于非晶硅内存在大量尾态和悬挂键等缺陷态,载流子的迁移率很低,扩散系数也很低。如果采用通常的p-n结的电池结构,光生载流子在n型和p型中性掺杂区的扩散运动非常小,将直接影响短路电流。此外,由于非晶硅p-n结耗尽层内也存在着大量的缺陷态,会导致势垒区内光生载流子的大量复合。为此,硅基薄膜电池 |
| 关 键 词： | 薄膜太阳电池 光生载流子 非晶硅 薄膜电池 缺陷态 开路电压 硅基 短路电流 工作原理 内建电势 |
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