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| 反应离子刻蚀法制绒在单晶硅太阳电池上的应用 | |
| 引用本文： | 严婷婷,凌俊,杨健,陈如龙,张光春.反应离子刻蚀法制绒在单晶硅太阳电池上的应用[J].太阳能,2012(19):22-25. |
| 作者姓名： | 严婷婷 凌俊 杨健 陈如龙 张光春 |
| 作者单位： | 无锡尚德太阳能电力有限公司 |
| 摘 要： | 研究了在预制绒基片上进行RIE织构化处理,得到的硅片表面具有很好的陷光效果,平均反射率仅为6%左右。通过热氧化法改善表面损伤,发现在温度900℃下,氧化膜厚度为40nm时,可得到较高的有效少子寿命,由此制得电池的内量子效率(IQE)、短路电流密度均有提高。 |
| 关 键 词： | 反应离子刻蚀 单晶硅太阳电池 绒面 短路电流密度 |
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