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| 薄膜太阳电池系列讲座(16) 硅基薄膜太阳电池(八) | |
| 作者姓名： | 张晓丹 赵颖 熊绍珍 |
| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 |
| 摘 要： | 调制材料的光电性能对于吸收层更为重要。CO2浓度比与缺陷态密度及带隙宽度的关系见图38a[35]。带隙宽度最大可达到2.02eV,而缺陷态从1016cm3增加到2.5×1017cm3左右,增加了一个多数量级(缺陷态的测量通过CPM测量得到)。可见,O的加入在加宽带隙的同时,将带来更多的悬挂键缺陷态。鉴于O为二配位,而Si是四配位,配位数的差异造成悬挂键的增加不难理解。 |
| 关 键 词： | 浓度比 缺陷态 薄膜太阳电池 宽带隙 态密度 光电性能 悬挂键 稀释率 调制 低折射率 |
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