基于CMOS工艺的高线性度宽带放大器芯片设计

CMOS工艺具有显著的成本与集成优势,单片射频微波芯片成为当前研究的重点。本文设计了一种基于CMOS 0.18μm工艺的高线性度宽带放大器芯片,该放大器满足P波段、L波段及S波段射频综合(通信、雷达、电子战)系统应用。放大器芯片相对带宽达100%,整体性能良好,具有较高的增益,很高的线性度和饱和输出功率,良好的匹配特性,较低的噪声系数以及较好的反向隔离度。芯片具有较高的成本优势及实用价值,对于当前工艺节点有一定设计难度。本文分别对宽带放大器芯片中各个模块的设计进行了分析,并讨论了级间匹配及系统集成。通过芯片测试结果验证了理论分析的正确性及芯片的优越性。