| 基于数值模拟的扇形分裂漏磁敏场效应晶体管相对灵敏度研究 |
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| 引用本文： | 刘同,朱大中. 基于数值模拟的扇形分裂漏磁敏场效应晶体管相对灵敏度研究[J]. 传感技术学报, 2007, 20(6): 1253-1256 |
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| 作者姓名： | 刘同 朱大中 |
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| 作者单位： | 浙江大学微电子与光电子研究所,杭州,310024;浙江大学微电子与光电子研究所,杭州,310024 |
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| 摘 要： | 使用二维数值模拟求得了扇形分裂漏磁敏场效应晶体管(MAGFET)的相对灵敏度.通过有限元分析求解约束载流子输运的偏微分方程,描绘出沟道反型层中的静电势分布.磁场中扇形MAGFET的电流偏转量大于相应矩形MAGFET的电流偏转量,因此扇形MAGFET与已报导的矩形MAGFET相比具有灵敏度高的优势.模拟结果表明极长沟道器件的灵敏度几乎不变.所研制的N型沟道分裂漏MAGFET采用0.6 μm标准CMOS工艺制造,实测扇形MAGFET的最高灵敏度为3.77%/T.该数值模拟方法及其计算结果已用于CMOS磁敏传感器芯片的设计.
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| 关 键 词： | MAGFEY 数值模拟 相对灵敏度 模型 |
| 文章编号： | 1004-1699（2007）06-1253-04 |
| 收稿时间： | 2006-07-28 |
| 修稿时间： | 2006-07-282006-08-10 |
Research of the Relative Sensitivity of Sector Split-drain Magnetic Field-Effect Transistor based on Numerical Simulation |
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| LIU Tong,ZHU Dazhong. Research of the Relative Sensitivity of Sector Split-drain Magnetic Field-Effect Transistor based on Numerical Simulation[J]. Journal of Transduction Technology, 2007, 20(6): 1253-1256 |
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| Authors: | LIU Tong ZHU Dazhong |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics and Optoelectronics , Zhejiang University, Hangzhou 310027, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MAGFEY |
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