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| 在一个氯化物输运系统中外延生长Al_xGa_(1-x)As | |
| 引用本文： | K.H.Bachem,陈现应.在一个氯化物输运系统中外延生长Al_xGa_(1-x)As[J].微纳电子技术,1982(6). |
| 作者姓名： | K.H.Bachem 陈现应 |
| 摘 要： | 本文描述在700～800℃温度之间第一次成功地制备含铝浓度高达40％的Al_xGa_(1-x)As薄膜。组份和生长速度与热力学的计算结果作了比较。非有意掺杂的材料是n型,它的光致发光强度可与LPE层的相比。通过掺锌制备P型外延层。 |
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