| 集成化离子敏场效应传感器的研究进展 |
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| 引用本文： | 王春华 赵岩 杨昌勇 黄岩. 集成化离子敏场效应传感器的研究进展[J]. 半导体情报, 2008, 45(2): 63-68 |
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| 作者姓名： | 王春华 赵岩 杨昌勇 黄岩 |
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| 作者单位： | 湖南大学计算机与通信学院,长沙410082 |
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| 摘 要： | 在介绍离子敏场效应晶体管（ISFET）传感器的应用和基本工作原理的基础上，阐述了集成化ISFET传感器的研究现状，包括ISFET敏感膜及其制造工艺与CMOS兼容性研究、集成化读出电路、多传感器集成等方面。展望了ISFET传感器的研究趋势，认为在以下方面值得探索和研究：敏感膜是把化学变量转换为电学变量的关键；高性能读出电路的研究；集ISFET、读出电路及后端信号处理电路于一体的低功耗ISFET传感器的系统集成；多功能、智能化的多传感器集成；研究集微传感器、微执行器、信号处理和控制电路、接口电路、通信系统以及电源等于一体的微机电系统（MEMS）；ISFET微传感系统的数字化集成等。
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| 关 键 词： | 离子敏场效应晶体管 传感器 敏感膜 集成化 读出电路 |
| 文章编号： | 1671-4776（2008）02-0063-06 |
| 收稿时间： | 2007-11-22 |
Advancement of Integrated Ion Sensitive Field Effect Transistor Based Sensor |
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| Wang Chunhua, Zhao Yan,. Advancement of Integrated Ion Sensitive Field Effect Transistor Based Sensor[J]. Semiconductor Information, 2008, 45(2): 63-68 |
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| Authors: | Wang Chunhua Zhao Yan |
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