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衬底对溶胶-凝胶法制备ZnO压电薄膜的影响
引用本文:王敏锐,王兢,陈文,崔岩. 衬底对溶胶-凝胶法制备ZnO压电薄膜的影响[J]. 中国机械工程, 2005, 16(Z1): 321-323
作者姓名:王敏锐  王兢  陈文  崔岩
作者单位:大连理工大学,大连,116023
基金项目:国家自然科学资金资助重大项目(90207003)
摘    要:采用溶胶-凝胶法分别在晶态衬底Si/SiO2/Ti/Pt和无定形态衬底Si/SiO2上制备了ZnO压电薄膜.以X射线衍射仪和原子力显微镜研究了薄膜的002择优取向度和表面形貌.结果表明,采用溶胶-凝胶法在Si/SiO2/Ti/Pt和Si/SiO2衬底上都能制备出具有较好择优取向,表面粗糙度低的ZnO薄膜,而且由于Pt和ZnO的晶格失配度较小,在Si/SiO2/Ti/Pt衬底上生长的ZnO薄膜形成002择优取向的退火温度低于在Si/SiO2衬底上生长的薄膜形成002择优取向的退火温度.

关 键 词:溶胶-凝胶法  002择优取向  晶态  非晶态
文章编号:1004-132X(2005)S1-0321-03
修稿时间:2004-08-30

Effects of Substrate Quality on Fabrication of ZnO Piezoelectric Thin Film by Sol-gel Method
Wang Minrui,Wang Jing,Chen Wen,Chui Yan. Effects of Substrate Quality on Fabrication of ZnO Piezoelectric Thin Film by Sol-gel Method[J]. China Mechanical Engineering, 2005, 16(Z1): 321-323
Authors:Wang Minrui  Wang Jing  Chen Wen  Chui Yan
Abstract:
Keywords:
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