光学曝光设备

半导体集成电路的大容量化,高密度化的发展是惊人的。若以存贮器为例,其容量每3～4年增长4倍,采用的图形尺寸每4～5年缩小一倍。随着这一发展,光刻技术也在从光学曝光向x射线、电子束曝光等新的光刻技术的研制方面发展。但是除光学光刻技术之外,其它光刻技术还没有达到大生产的水平。这可能是由设备价格和生产率决定的经济性所致,并且,也由于光学光刻技术本身不断地在改良、发展。在此主要将光学曝光设备的目前情况作一介绍,并展望未来。