| 一种单基极引出结构的硅晶体管 |
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| 引用本文： | 杨茹,李国辉,姬成周,田晓娜,韩德俊,马本堃.一种单基极引出结构的硅晶体管[J].半导体学报,2005,26(2):345-348. |
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| 作者姓名： | 杨茹 李国辉 姬成周 田晓娜 韩德俊 马本堃 |
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| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理所 北京100875
(杨茹，李国辉，姬成周，田晓娜，韩德俊)，北京师范大学低能核物理所 北京100875(马本堃) |
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| 摘 要： | 为研究单基极薄基区晶体管的特性，设计了一种单侧基极引出结构薄基区的晶体管，在p型SOI衬底上全离子注入实现了基区宽度为80nm的npn纵向结构，基区的平均浓度为1e18cm－3．经过版图设计和工艺流片，在2μm实验工艺线上研制了这种器件．基极采用电压输入，Vbe在1.1V附近，跨导和电流增益都达到峰值，小信号电流增益βac(ΔIc/ΔIb)=2.7，小信号跨导gmac(ΔIc/ΔVbe)=0.45mS，且gmac/gm(Ic/Vbe)比βac/β(Ic/Ib)大得多，跨导比电流增益更能准确地描述器件特性，这种器件更倾向于电压控制型器件，特别适用于数字电路的开发和应用．
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| 关 键 词： | 单基极 薄基区 全离子注入 单基极 纵向结构 硅晶体管 Transistor 应用 开发 数字电路 电压控制型 倾向 器件特性 描述 小信号 峰值 电流增益 跨导 输入 工艺线 实验 版图设计 平均浓度 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)02-0345-04 |
| 修稿时间： | 2004年2月13日 |
A New Structure of One-Base-Contact Transistor |
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| Yang Ru,Li Guohui,Ji Chengzhou,Tian Xiaona,Han Dejun,Ma Benkun.A New Structure of One-Base-Contact Transistor[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(2):345-348. |
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| Authors: | Yang Ru Li Guohui Ji Chengzhou Tian Xiaona Han Dejun Ma Benkun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | one-base-contact narrow base ion implantation |
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