| MIM结构力敏薄膜应变栅的高温稳定性 |
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| 引用本文： | 于映,陈跃,林吉申.MIM结构力敏薄膜应变栅的高温稳定性[J].电子元件与材料,2000,19(5):3-4. |
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| 作者姓名： | 于映 陈跃 林吉申 |
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| 作者单位： | 福州大学,电子科学与应用物理系,福建,福州,350002 |
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| 基金项目： | 福建省自然科学基金资助项目!(E981 0 0 4 ) |
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| 摘 要： | 运用薄膜技术在镍基弹性体上制备金属 -绝缘层 -金属 (MIM)结构的薄膜应变栅 ,测试了应变栅在 2 0 0～ 30 0℃的高温区内的稳定性 ,并分析了应变栅薄膜的结构、薄膜的应力以及热处理工艺等因素对力敏薄膜在高温下的稳定性的影响。
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| 关 键 词： | 金属-绝缘层-金属结构 薄膜应变栅 稳定性 高温 |
High temperature stability of thin film gauge of MIM structure |
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| YU Ying,CHEN Yue,LIN Ji-shen.High temperature stability of thin film gauge of MIM structure[J].Electronic Components & Materials,2000,19(5):3-4. |
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| Authors: | YU Ying CHEN Yue LIN Ji-shen |
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| Abstract: | In Chinese. The thin film gauges of metal-insulator-metal structure are prepared on nickel -b ased elastic elements using thin film technonogy. The stability of the thin fil m gauges is measured at 200~300℃. The influences of the factors such as the str u cture of the gauge, the stress of thin films and annealing processes on the stab ility of thin film gauges at high temperature are analyzed. (3 refs.) |
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| Keywords: | metal-insulator-metal structure thin film stab ility high temperature |
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