| 电子回旋共振氮等离子体氧化后退火对4H-Si CMOS电容TDDB特性的影响 |
| |
| 引用本文： | 汤斌,李文波,刘冰冰,刘道森,秦福文,王德君. 电子回旋共振氮等离子体氧化后退火对4H-Si CMOS电容TDDB特性的影响[J]. 固体电子学研究与进展, 2015, 0(2): 191-196,201 |
| |
| 作者姓名： | 汤斌 李文波 刘冰冰 刘道森 秦福文 王德君 |
| |
| 作者单位： | 大连理工大学电子信息与电气工程学部电子科学与技术学院;大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室 |
| |
| 摘 要： | SiC MOS器件氧化膜可靠性是SiC器件研究中的重要方面。本文对4H-SiC MOS结构进行电子回旋共振(ECR)氮等离子体氧化后退火工艺处理,采用阶跃电流经时击穿以及XPS分析的方法对其氧化膜稳定性进行了电学以及物理性质方面上的分析。经分析氮等离子体处理8min的样品击穿时间和单位面积击穿电荷量都有了明显提高,并且早期失效比率有了明显降低。实验结果表明,经过适当时间的处理,ECR氮等离子体氧化后退火工艺可以有效地降低界面缺陷的密度,提高界面处激活能,从而提高绝缘膜耐受电流应力的能力。
|
| 关 键 词： | 碳化硅 金属氧化物半导体电容 氧化膜经时击穿 氮等离子体氧化后退火 |
Effects of Electron Cyclotron Resonance Nitrogen Plasma Post-oxidation Annealing on the TDDB Characteristics of 4H-SiC MOS Capacitors |
| |
| TANG Bin;LI Wenbo;LIU Bingbing;LIU Daosen;QIN Fuwen;WANG Dejun. Effects of Electron Cyclotron Resonance Nitrogen Plasma Post-oxidation Annealing on the TDDB Characteristics of 4H-SiC MOS Capacitors[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 2015, 0(2): 191-196,201 |
| |
| Authors: | TANG Bin LI Wenbo LIU Bingbing LIU Daosen QIN Fuwen WANG Dejun |
| |
| Affiliation: | TANG Bin;LI Wenbo;LIU Bingbing;LIU Daosen;QIN Fuwen;WANG Dejun;Faculty of Electronic Information and Electrical Engineering School of Electronic Science and Technology,Dalian University of Technology;State Key Laboratory of Materials Modification by Laser,Ion and Electron Beams (Ministry of Education),Dalian University of Technology; |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
