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责任编辑
分类号
杂志ISSN号
薄硅膜SOI器件辐射效应研究
作者姓名:
贺琪
顾祥
纪旭明
李金航
赵晓松
作者单位:
中国电子科技集团公司第五十八研究所
摘 要:
为适应SOI技术的发展,探索相关材料参数受辐射影响程度及器件的抗辐射性能,研究了不同硅膜厚度SOI器件的总剂量辐射效应。采用
60
Co作为辐射源,所选器件的辐射性能通过晶体管前栅和背栅的阈值电压漂移量进行表征。实验结果显示,所选的本单位SOI工艺的硅膜厚度必须大于205 nm才能保证器件的抗总剂量辐射能力,针对此结论利用TCAD软件进行仿真验证,归纳出相应的物理机制。对电路静态电流特性对总剂量辐射的敏感性也给出了相关的讨论与评估。
关 键 词:
辐射
硅膜
FD SOI器件
阈值电压
静态电流
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