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非接触式电容压力传感器敏感元件的设计及性能分析
引用本文:尚永红,李艳秋,于红云,孙红光,苏波.非接触式电容压力传感器敏感元件的设计及性能分析[J].传感技术学报,2008,21(2):276-279.
作者姓名:尚永红  李艳秋  于红云  孙红光  苏波
作者单位:中国科学院电工研究所,北京,100080;中国科学院电工研究所,北京100080;北京理工大学,北京100081;中国科学院电工研究所,北京100080;中国科学院研究生院,北京100049
基金项目:国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划(863计划),教育部长江学者和创新研究团队计划项目资助(PCSIRT)
摘    要:将中心岛膜结构的压力敏感膜用在非接触式电容式压力传感器中,解决了平膜结构带来的各点挠度不同、非线性和需要后续补偿电路的问题.通过对材料为多晶硅的中心岛膜进行结构优化设计和挠度、应力等力学性能分析.计算了在不同外加压力条件下压力敏感膜的电容数值、灵敏度和线性度.根据优化设计,外加压力在0.2~1.4× lO.Pa间变化时,电容值在0.0251~0.0281 pF间变化;通过分析两种结构敏感膜在Xy面内同一位置与中心挠度差的变化率,中心岛膜结构的变化率为49.4%低于平膜结构1.7%.因而中心岛膜结构比平膜结构有更好的灵敏度和线性.

关 键 词:非接触式电容压力传感器  敏感元件  MEMS
文章编号:1004-1699(2008)02-0276-04
修稿时间:2007年9月30日

Design and Simulation of Sensitivity Diaphragm of Untouched-mode Capacitive Pressure Sensor
Shang Yonghong,Li Yanqiu,Yu Hongyun,Sun Hongguang,Su Bo.Design and Simulation of Sensitivity Diaphragm of Untouched-mode Capacitive Pressure Sensor[J].Journal of Transduction Technology,2008,21(2):276-279.
Authors:Shang Yonghong  Li Yanqiu  Yu Hongyun  Sun Hongguang  Su Bo
Affiliation:1. I nst itute of Elect rical Engineering of Chinese Academy of Science ,2. Bei j ing I nstitute of Technology ,3. Graduate Uni versit y of Chinese Academy of Sciences
Abstract:
Keywords:MEMS
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