| Nd:Gd3Ga5O12多晶原料合成及单晶生长研究 |
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| 引用本文： | 孙晶,刘景和,关效贤,李建利,曾繁明,万玉春,张亮.Nd:Gd3Ga5O12多晶原料合成及单晶生长研究[J].硅酸盐学报,2004,32(5):585-589. |
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| 作者姓名： | 孙晶 刘景和 关效贤 李建利 曾繁明 万玉春 张亮 |
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| 作者单位： | 长春理工大学材料与化工学院,长春,130022;长春理工大学材料与化工学院,长春,130022;长春理工大学材料与化工学院,长春,130022;长春理工大学材料与化工学院,长春,130022;长春理工大学材料与化工学院,长春,130022;长春理工大学材料与化工学院,长春,130022;长春理工大学材料与化工学院,长春,130022 |
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| 基金项目： | 长春理工大学校基金资助项目。 |
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| 摘 要： | 通过对晶体生长时和生长后原料挥发物的XRD分析，发现在炉膛内壁上的挥发物质是Ga2O3和Ga2O的混合物，而观察窗口及后加热器内壁上的挥发物主要是Gd2O3。为避免原料中Ga2O3的挥发，按化学计量比配料，在1300℃下，采用固相反应法合成了Nd：Gd3Ga5O12(Nd：GGG)多晶原料。用此多晶原料，采用提拉法进行了Nd：GGG单晶生长研究，所获单晶的荧光发射峰位于1061．54nm。对晶体表面的开裂现象进行了分析。
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| 关 键 词： | 掺钕钆镓石榴石晶体 原料挥发 激光晶体 提拉法 晶体生长 |
| 文章编号： | 0454-5648(2004)05-0585-05 |
| 修稿时间： | 2003年7月20日 |
STUDY ON SYNTHESIS OF POLYCRYSTLLINE RAW MATERIALS AND SINGLE CRYSTAL GROWTH OF Nd:Gd3Ga5O12 |
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| SUN Jing,LIU Jinghe,GUAN Xiaoxian,LI Jianli,ZENG Fanming,WAN Yuchun,ZHANG Liang.STUDY ON SYNTHESIS OF POLYCRYSTLLINE RAW MATERIALS AND SINGLE CRYSTAL GROWTH OF Nd:Gd3Ga5O12[J].Journal of The Chinese Ceramic Society,2004,32(5):585-589. |
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| Authors: | SUN Jing LIU Jinghe GUAN Xiaoxian LI Jianli ZENG Fanming WAN Yuchun ZHANG Liang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | neodymium doped gadolinium gallium garnet crystal volatility of raw material laser crystal Czochralski method crystal growth |
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