| SITH负阻转折特性的分析模型 |
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| 引用本文： | 姜岩峰,李思渊,刘肃. SITH负阻转折特性的分析模型[J]. 半导体技术, 2000, 25(2): 20-22,31 |
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| 作者姓名： | 姜岩峰 李思渊 刘肃 |
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| 作者单位： | 兰州大学物理系静电感应器件研究所,兰州,730000 |
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| 摘 要： | 提出了一个用于分析ＳＩＴＨ正向阻断态的新模型。这个模型在结构上类似于ＳＣＲ。这样,就可以把ＳＩＴＨ的二维分析简化为ＳＣＲ的一维分析。我们应用了这个模型来分析ＳＩＴＨ的负阻特性并且计算出了阳极正向转折电压,计算结果与实际测量值相符合,从而证明了这个模型的合理性。
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| 关 键 词： | 负担转折特性 静态感应晶闸管 分析模型 |
A New Model for Analyzing SITH's Negative-Resistance Characteristic |
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| Jiang Yanfeng,Li Siyuan,Liu Su. A New Model for Analyzing SITH's Negative-Resistance Characteristic[J]. Semiconductor Technology, 2000, 25(2): 20-22,31 |
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| Authors: | Jiang Yanfeng Li Siyuan Liu Su |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SITH Negative resistance characteristic |
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