大马士革工艺中电镀铜层杂质对其性能的影响 |
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引用本文: | 孙红旗,王溯,于仙仙,马丽.大马士革工艺中电镀铜层杂质对其性能的影响[J].电镀与涂饰,2023(9):40-44. |
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作者姓名: | 孙红旗 王溯 于仙仙 马丽 |
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作者单位: | 1. 上海新阳半导体材料股份有限公司;2. 上海市集成电路关键工艺材料重点实验室 |
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摘 要: | 分别采用聚醚胺类物质、聚乙烯亚胺类物质和聚酰胺类物质作为大马士革铜互连电镀工艺的整平剂,得到杂质含量不同的Cu膜层,通过计时电位测试分析了不同整平剂对膜层杂质含量的影响机制。研究了杂质含量对Cu膜层自退火速率、应力和电阻率的影响。结果表明,膜层中杂质含量过高会引起Cu膜层的电阻和应力升高。采用聚乙烯亚胺类物质或聚酰胺类物质作为整平剂时电镀所得Cu膜层的杂质含量都较低。
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关 键 词: | 大马士革工艺 电镀铜 整平剂 杂质 自退火 电阻率 应力 晶粒 |
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