K波段GaAs双栅场效应晶体管

本文给出了GaAs双栅场效应晶体管的高频等效电路模型以及输入/输出阻抗、跨导,单向增益、稳定因子等的解析表达式。在低频时,双栅场效应晶体管的增益高于单栅场效应晶体管,但是由于第二栅的电容分流效应,随着频率的增加双栅场效应晶体管的增益急速下降。我们研制了可用于K波段可变增益放大器中的双栅功率场效应晶体管,该器件总栅宽为1.2mm,在10GHz下,输出功率为1.1W,增益为10.5dB,附加功率效率为31％。同样栅宽的器件。在20GHz下,输出功率为340mW,增益为5.3dB。在K波段,动态增益控制范围可达45dB,在最初的增益控制变化10dB范围内,其插入相位变化不超过±2°。