| 一种新型高压Triple RESURF SOI LDMOS |
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| 引用本文： | 胡夏融,张波,罗小蓉,姚国亮,陈曦,李肇基.一种新型高压Triple RESURF SOI LDMOS[J].半导体学报,2011,32(7):074006-4. |
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| 作者姓名： | 胡夏融 张波 罗小蓉 姚国亮 陈曦 李肇基 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 |
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| 摘 要： | 提出了一种新型Triple RESURF SOI LDMOS结构，该结构有一个Ｐ型埋层。首先，耗尽层能够在Ｐ型埋层的上下同时扩展与Triple RESURF机理相同，使得漂移区浓度提高，导通电阻降低。其次，当漂移区浓度较高时，Ｐ型埋层起到了降低体内电场的作用，并能够提高漏端纵向电场使得其电场分布更加均匀从而耐压增加。Triple RESURF结构在SOI LDMOS中首次提出。在６微米厚的SOI层以及２微米厚的埋氧层中获得了耐压300V的Triple RESURF SOI LDMOS，其导通电阻从Double RESURF SOI LDMOS的17.2mΩ.cm2降低到13.8mΩ.cm2。当外延层厚度增加时, Triple RESURF结构的效果更加明显,在相同耐压下，相对于Double RESURF,该结构能够在400V和550V的SOI LDMOS中分别降低29%和38%的导通电阻。
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| 关 键 词： | RESURF结构 SOI器件 LDMOS 高压 电场分布 掺杂浓度 MOS结构 低导通电阻 |
| 收稿时间： | 1/5/2011 10:58:08 PM |
| 修稿时间： | 3/13/2011 5:10:07 PM |
A new high voltage SOI LDMOS with triple RESURF structure |
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| Hu Xiarong,Zhang Bo,Luo Xiaorong,Yao Guoliang,Chen Xi and Li Zhaoji.A new high voltage SOI LDMOS with triple RESURF structure[J].Chinese Journal of Semiconductors,2011,32(7):074006-4. |
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| Authors: | Hu Xiarong Zhang Bo Luo Xiaorong Yao Guoliang Chen Xi and Li Zhaoji |
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| Affiliation: | State Key laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China,State Key laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China,State Key laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China,State Key laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China,State Key laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China,State Key laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SOI LDMOS double resurf triple resurf REBULF breakdown voltage |
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