| 基于电流源驱动的MOSFET管损耗模型及分析 |
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| 引用本文： | 陈宗祥,束林,刘雁飞,葛芦生. 基于电流源驱动的MOSFET管损耗模型及分析[J]. 电力自动化设备, 2010, 30(10) |
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| 作者姓名： | 陈宗祥 束林 刘雁飞 葛芦生 |
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| 作者单位： | 安徽工业大学,电力电子与电力传动重点实验室,安徽,马鞍山,243000;安徽工业大学,电力电子与电力传动重点实验室,安徽,马鞍山,243000;安徽工业大学,电力电子与电力传动重点实验室,安徽,马鞍山,243000;安徽工业大学,电力电子与电力传动重点实验室,安徽,马鞍山,243000 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(50777001); 安徽省自然科学基金重点项目(KJ2010A342)~~ |
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| 摘 要： | 对于以电压源方式驱动功率MOSFET管,随着开关频率的提高,其开关损耗将显著增加。以此为切入点对电流源驱动功率MOSFET管进行了研究。在对电流源驱动MOSFET管原理性分析的基础上,通过详细地分析功率MOSFET管的开关过程,建立MOSFET管开关损耗模型,求解得到漏极电流、漏源电压与栅源电压之间关系,证明了电流源驱动在减少开关时间和开关损耗上的优越性。在开关频率为1 MHz、输入电压为12 V、输出电压和电流分别为1.3 V和25 A的低压大电流实验平台上进行了验证,实验结果证明了所提出的MOSFET管损耗模型的正确性。
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| 关 键 词： | 电流源驱动 MOSFET 损耗分析 Buck变换器 高频 低压大电流 |
Analysis of MOSFET loss model based on current source driver |
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| CHEN Zongxiang,SHU Lin,LIU Yanfei,GE Lusheng. Analysis of MOSFET loss model based on current source driver[J]. Electric Power Automation Equipment, 2010, 30(10) |
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| Authors: | CHEN Zongxiang SHU Lin LIU Yanfei GE Lusheng |
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| Affiliation: | CHEN Zongxiang,SHU Lin,LIU Yanfei,GE Lusheng(Key Lab of Power Electronics & Motion Control,Anhui University of Technology,Maanshan 243000,China) |
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| Abstract: | As the switching loss of VSD(Voltage Source Driver) MOSFET increases with the increase of switching frequency,the switching loss of CSD(Current Source Driver) MOSFET is researched.Based on the study of operating principle,its detailed switching procedure is analyzed and an accurate analytical loss model is established to obtain the relationship among the drain current,drain-to-source voltage and gate-to-source voltage,which proves the superiority of CSD in reducing the switching time and loss.Tests are carr... |
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| Keywords: | current source driver MOSFET power loss analysis Buck converter high frequency low output voltage and high output current |
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