| GaAs/AlGaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构中的光增益谱分析 |
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| 引用本文： | 郑宝真,许继宗,王丽明,徐仲英,朱龙德. GaAs/AlGaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构中的光增益谱分析[J]. 半导体学报, 1990, 11(6): 422-429 |
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| 作者姓名： | 郑宝真 许继宗 王丽明 徐仲英 朱龙德 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 北京(郑宝真，许继宗，王丽明，徐仲英)，中国科学院半导体研究所 北京(朱龙德) |
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| 摘 要： | 对不同阱宽的梯度折射率分别限制单量子阱激光器进行了TE、TM模的光增益谱测量对于阱宽大于120A的激光器,发射光谱和光增益谱都出现双峰,分别是由n=1和n=2的子带跃迁所造成,激光振荡出现在n=2的子带跃迁。随着阱宽减小,n=1子带跃迁的饱和增益增加,使激光振荡能在n=1子带发生,而n=2子带的受激就需要比原来更大的注入才有可能。材料增益随阱宽减小呈超线性地增加,从而降低了n=1子带受激的最小腔长。因此,用较窄的量子阱(≤100A),高的端面反射率和尽可能短的腔长,就能得到很低的阈电流。TE和TM模增益谱的不同,使激光器在一定阱宽和腔损耗下具有不同的TE和TM激射波长。
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| 关 键 词： | GaAs AlGaAs 梯度折射率 量子阱 增益光谱 |
Analysis of Optical Gain Spectra in GaAs/AlGaAs Graded-Index Separate-Confinement Single Quantum Well Structures |
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| Zheng Baozhen/Institute of Semiconductors,Academia Sinica,BeijingXu Jizong/Institute of Semiconductors,Academia Sinica,BeijingWang Liming/Institute of Semiconductors,Academia Sinica,BeijingXu Zongying/Institute of Semiconductors,Academia Sinica,BeijingZhu Longde/Institute of Semiconductors,Academia Sinica,Beijing. Analysis of Optical Gain Spectra in GaAs/AlGaAs Graded-Index Separate-Confinement Single Quantum Well Structures[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 1990, 11(6): 422-429 |
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| Authors: | Zheng Baozhen/Institute of Semiconductors Academia Sinica BeijingXu Jizong/Institute of Semiconductors Academia Sinica BeijingWang Liming/Institute of Semiconductors Academia Sinica BeijingXu Zongying/Institute of Semiconductors Academia Sinica BeijingZhu Longde/Institute of Semiconductors Academia Sinica Beijing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs AlGaAs Graded index Quantum well Optical gain spectra |
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