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| Ar^＋注入多孔硅与Ar^＋注入硅多孔结构的光致发光研究 | |
| 引用本文： | 吕小毅,杨勇兵,贾振红,薛涛. Ar^＋注入多孔硅与Ar^＋注入硅多孔结构的光致发光研究[J]. 光电子．激光, 2008, 19(12) |
| 作者姓名： | 吕小毅 杨勇兵 贾振红 薛涛 |
| 作者单位： | 1. 西安交通大学电子与信息工程学院,西安,710049 2. 新疆大学物理科学与技术学院,乌鲁木齐,830046;喀什师范学院物理系,喀什,844000 3. 新疆大学信息科学与工程学院,新疆,乌鲁木齐,830046 4. 新疆大学物理科学与技术学院,乌鲁木齐,830046 |
| 基金项目： | 教育部跨世纪优秀人才培养计划 ， 新疆维吾尔自治区高技术研究与发展计划 |
| 摘 要： | 研究了中等能量(30 key)Ar+注入多孔硅和中等能量(30 key)Ar+先注入单晶硅后再进行电化学腐蚀成的多孔结构的光致发光特性.研究结果表明:中等能量(30 key)Ar+注入多孔硅后,多孔硅原有的发光峰消失,主要是Ar+对多孔硅表面氧的剥离作用.使得与氧相关发光的结构消失,多孔硅不再发光;中等能量(30 kev)Ar+先注入单晶硅后冉电化学腐蚀成的多孔结构中,通常多孔硅原有的580 nIn附近发光峰强度随注入Ar+剂量的增加而增强,并有红移;同时在谱峰处于470 nm附近的微弱发光峰不因注入Ar+而明显变化. |
| 关 键 词： | 离子注入 多孔硅 光致发光 |
Study of photoluminescences of the Ar+ implanted porous silicon and the porous structure of Ar+-implanted silicon |
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| LV Xiao-yi,YANG Yong-bing,JIA Zhen-hong,XUE Tao. Study of photoluminescences of the Ar+ implanted porous silicon and the porous structure of Ar+-implanted silicon[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2008, 19(12) | |
| Authors: | LV Xiao-yi YANG Yong-bing JIA Zhen-hong XUE Tao |
| Affiliation: | LV Xiao-yi,YANG Yong-bing,JIA Zhen-hong**,XUE Tao |
| Abstract: | We have mesured photoluminescences of the Ar+-implanted porous silicon and the porous structure of Ar+-implanted silicon which is prepared by implanting Ar+ ions into single crystal silicon,conventional anodized oxidation at an energy of middle-energy(30 keV).The results show that the PL intensity of Ar+-implanted porous silicon is reduced,and the PL intensity of porous structure of Ar+-implanted silicon at 580 nm is enhanced.Meanwhile,the emissin peaks located around at 470 nm almost no changed. |
| Keywords: | ion implantation porous silicon photoluminescence |
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