IN1—x—yGaxAlyAs四元混晶的喇曼散射 |
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作者姓名: | 韩和相 徐仕杰 |
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作者单位: | 1. 中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083 2. 国立新加坡大学物理系,新加坡,119260 |
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摘 要: | 报道了MBE生长的In1-x-yGaxAlyAs四元混晶中光学声子的喇曼散射实验结果.光学声子模的频率与强度的组分关系表明In1-x-yGaxAlyAs四元混晶中有3种光学声子模,即类InAs、类GaAs和类AlAs模.喇曼光谱的偏振分析表明3种光学声子在退偏振条件下是喇曼活性的,而在偏振条件下是喇曼非活性的.由于混晶中的无序效应,可观察到泄漏的TO模叠加在LO的低能侧使喇曼峰显现出非对称形状.
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关 键 词: | 喇曼散射 四元混晶 InGaAlAs |
修稿时间: | 1997-11-10 |
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