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IN1—x—yGaxAlyAs四元混晶的喇曼散射
作者姓名:韩和相 徐仕杰
作者单位:1. 中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083
2. 国立新加坡大学物理系,新加坡,119260
摘    要:报道了MBE生长的In1-x-yGaxAlyAs四元混晶中光学声子的喇曼散射实验结果.光学声子模的频率与强度的组分关系表明In1-x-yGaxAlyAs四元混晶中有3种光学声子模,即类InAs、类GaAs和类AlAs模.喇曼光谱的偏振分析表明3种光学声子在退偏振条件下是喇曼活性的,而在偏振条件下是喇曼非活性的.由于混晶中的无序效应,可观察到泄漏的TO模叠加在LO的低能侧使喇曼峰显现出非对称形状.

关 键 词:喇曼散射  四元混晶  InGaAlAs
修稿时间:1997-11-10
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