首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

用于GaAs射频集成电路的不同厚度氧化铝MIM 电容的研究
引用本文:周佳辉,常虎东,刘洪刚,刘桂明,徐文俊,李琦,李思敏,何志毅,李海鸥. 用于GaAs射频集成电路的不同厚度氧化铝MIM 电容的研究[J]. 半导体学报, 2015, 36(5): 054004-4. DOI: 10.1088/1674-4926/36/5/054004
作者姓名:周佳辉  常虎东  刘洪刚  刘桂明  徐文俊  李琦  李思敏  何志毅  李海鸥
基金项目:国家自然基金(Grant no. 61274077),广西自然科学基金(Grant no. 2013GXNSFGA019003),广西教育部基金(no.201202ZD041),桂林市技术人才基金 (no.20120104-8 and 20130107-4), 中国博士后研究基金 (no. 2012M521127 and 2013T60566), 中国”973“基础研究基金 (2011CBA00605, 2010CB327501),桂林电子科技大学研究生教育创新计划资助项目(GDYCSZ201448 and GDYCSZ201449)
摘    要:本文研究了不同厚度的氧化铝对MIM电容直流和射频特性的影响。在1MHz下,对于20nm氧化铝MIM电容,其拥有3850 pF/mm2的高电容密度和可接受的681 ppm/V2的VCC-α电压系数。1MHz时突出的74 ppm/V2VCC-α电压系数,8.2GHz谐振频率以及2GHz时41的Q值可以从100nm氧化铝MIM电容获得。采用GaAs工艺以及原子层淀积制造的高性能ALD氧化铝MIM电容很有可能成为GaAs射频集成电路很有前景的候选器件。

关 键 词:MIM capacitors  Al2O3  thickness

MIM capacitors with various Al2O3 thicknesses for GaAs RFIC application
Zhou Jiahui,Chang Hudong,Liu Honggang,Liu Guiming,Xu Wenjun,Li Qi,Li Simin,He Zhiyi and Li Haiou. MIM capacitors with various Al2O3 thicknesses for GaAs RFIC application[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2015, 36(5): 054004-4. DOI: 10.1088/1674-4926/36/5/054004
Authors:Zhou Jiahui  Chang Hudong  Liu Honggang  Liu Guiming  Xu Wenjun  Li Qi  Li Simin  He Zhiyi  Li Haiou
Affiliation:1. Guangxi Experiment Center of Information Science, Guilin University of Electronic Technology, Guilin 541004, China;Microwave Device and IC Department, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China;2. Microwave Device and IC Department, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China;3. Guangxi Experiment Center of Information Science, Guilin University of Electronic Technology, Guilin 541004, China;4. Guangxi Experiment Center of Information Science, Guilin University of Electronic Technology, Guilin 541004, China;State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China
Abstract:
Keywords:MIM capacitors  Al2O3  thickness
本文献已被 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号