| 化学气相沉积碳化硅薄膜的研究 |
| |
| 引用本文： | 郑治祥. 化学气相沉积碳化硅薄膜的研究[J]. 硅酸盐学报, 1995, 23(5): 550-554 |
| |
| 作者姓名： | 郑治祥 |
| |
| 作者单位： | 合肥工业大学材料科学与工程系 |
| |
| 基金项目： | 国家教委留学基金资助项目 |
| |
| 摘 要： | 在较低温度（１３６０℃）下采用化学气相沉积法分别在单晶硅和单晶碳化硅基体上成功地生成多晶和单晶碳化硅膜。用氢气作为载体，反应气相为硅烷为甲烷。当温度低于１３００℃时，生成膜的质量明显降低，易于脱离基体。１３６０℃温度下沉积生成的碳化硅膜与基体附着力强，不易被磨擦掉。ＸＲＤ和ＩＲ分析表明生成的ＳｉＣ膜为六方结构型的ａ－ＳｉＣ。运用同位素１２Ｃ和１３Ｃ进行了在Ｓｉ１２Ｃ单晶基体上外延生长Ｓｉ１３Ｃ膜层
|
| 关 键 词： | 化学气相沉积 碳化硅 单晶外延生长 薄膜 |
STUDY ON THE SILICON CARBIDE FILMS GROWN BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION |
| |
| Zheng Zhixiang. STUDY ON THE SILICON CARBIDE FILMS GROWN BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION[J]. Journal of The Chinese Ceramic Society, 1995, 23(5): 550-554 |
| |
| Authors: | Zheng Zhixiang |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | chemical vapor deposition silicon carbide single crystal epitaxial growth |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
