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| 在LPCVD型系统中采用SiHCl_3——NH_3体系制备Si_3N_4膜 | |
| 作者姓名： | 许世光 |
| 作者单位： | 重庆光电技术研究所 |
| 摘 要： | 一、前言低压化学汽相淀积(简称LPCVD)技术,近两年来,在国内半导体器件工艺中,特别是以MOS为主的大规模(LSI)和超大规模(VLSI)集成电路中引起了极大的重视。Si_2N_4作为纯化膜改善了器件的性能和提高了器件的可靠性。采用LPCVD技术制备的多晶硅、二氧化硅、氮化硅和磷硅玻璃无论在经济,均匀性,重复性和投片量上都比用常压CVD技术制备的膜优越得多。采用SiHCl_3 |
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