| 电压对N型宏孔硅阵列光电化学腐蚀的影响 |
| |
| 引用本文： | 王国政,付申成,陈立,王蓟,秦旭磊,王洋,郑仲馗,端木庆铎. 电压对N型宏孔硅阵列光电化学腐蚀的影响[J]. 半导体学报, 2010, 31(11): 116002-5 |
| |
| 作者姓名： | 王国政 付申成 陈立 王蓟 秦旭磊 王洋 郑仲馗 端木庆铎 |
| |
| 基金项目： | 高等学校博士学科点专项科研基金 |
| |
| 摘 要： | 研究了电压对宏孔硅阵列光电化学腐蚀的影响. 根据空间电荷区理论、N型硅片在HF酸溶液中I-V扫描曲线、不同电流密度条件下硅阳极氧化反应机理，系统地分析研究了腐蚀电压对宏孔硅阵列形貌的影响.研究结果表明：电压升高使孔型变差，电压降低则盲孔率提高，腐蚀电压恒定、长时间腐蚀孔将逐渐分叉。根据理论分析，优化了工艺参数，制备出高长径比宏孔硅阵列结构，孔深度为317m，方孔边长为3m，长径比为105。
|
| 关 键 词： | 工作电压 光蚀刻 大孔硅 电化学 阵列 照片 n型 阳极氧化反应 |
| 收稿时间： | 2010-05-16 |
| 修稿时间： | 2010-06-23 |
Influence of voltage on photo-electrochemical etching of n-type macroporous silicon arrays |
| |
| Wang Guozheng,Fu Shencheng,Chen Li,Wang Ji,Qin Xulei,Wang Yang,Zheng Zhongkui and Duanmu Qingduo. Influence of voltage on photo-electrochemical etching of n-type macroporous silicon arrays[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2010, 31(11): 116002-5 |
| |
| Authors: | Wang Guozheng Fu Shencheng Chen Li Wang Ji Qin Xulei Wang Yang Zheng Zhongkui Duanmu Qingduo |
| |
| Affiliation: | School of Science, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022, China;School of Science, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022, China;School of Science, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022, China;School of Science, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022, China;School of Science, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022, China;School of Science, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022, China;School of Science, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022, China;School of Science, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | etching voltage macroporous silicon arrays photo-electrochemical etching blind porosity |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
