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制备过程中对VO_2薄膜热致相变光电性能的控制
引用本文:卢勇,林理彬,邹萍,何捷,王鹏. 制备过程中对VO_2薄膜热致相变光电性能的控制[J]. 激光杂志, 2000, 0(5)
作者姓名:卢勇  林理彬  邹萍  何捷  王鹏
作者单位:四川大学物理系!辐射物理及技术教育部重点实验室,成都610064,四川大学物理系!辐射物理及技术教育部重点实验室,成都610064,四川大学物理系!四川大学分析测试中心,成都610064,四川大学物理系!辐射物理及技术教育部重点实验室,成都610064,四川大学物理系!辐射物理及技术教育部重
摘    要:本文利用真空还原V2 O5的方法制备出优质对VO2 薄膜 ;研究了不同真空还原时间VO2 薄膜热致相变过程中光电性能的影响 ;利用XPS、XRD对薄膜的化学状态和结晶状态进行了研究。制备的薄膜高 /低温电阻变化最大达到三个数量级 ,90 0nm处的光学透过率在相变前后改变了 40 %左右 ,热致相变性能优良。讨论了不同的真空还原时间下VO2 薄膜热滞回线的宽度、相变温度点以及高低温光透射性能。最后给出了最佳真空还原时间。

关 键 词:VO_2薄膜  热致相变  光电性能

Control the optical and electrical properties of VO_2 thin films during preparation process
Lu Yong Lin Libin Zou Pin He Jie Wang Peng. Control the optical and electrical properties of VO_2 thin films during preparation process[J]. Laser Journal, 2000, 0(5)
Authors:Lu Yong Lin Libin Zou Pin He Jie Wang Peng
Affiliation:Lu Yong 1 Lin Libin 1 Zou Pin 2 He Jie 1 Wang Peng 1
Abstract:
Keywords:VO_2 thin film  thermochromism  electrical and optical properties
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