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光敏二极管的可靠性和寿命分析
引用本文:张生才 郑云光 张世林 李树荣 赵毅强 姚素英 朱胜利. 光敏二极管的可靠性和寿命分析[J]. 光电子.激光, 2003, 14(5): 466-468
作者姓名:张生才 郑云光 张世林 李树荣 赵毅强 姚素英 朱胜利
作者单位:天津大学电子电信工程学院,天津,300072;天津大学电子电信工程学院,天津,300072;天津大学电子电信工程学院,天津,300072;天津大学电子电信工程学院,天津,300072;天津大学电子电信工程学院,天津,300072;天津大学电子电信工程学院,天津,300072;天津大学电子电信工程学院,天津,300072
基金项目:天津市科委科技攻关项目(023107511)
摘    要:在大量实验的基础上,通过理论分析和数据处理,采用威布尔概率纸图估法,评估了为某种设备的特殊需要生产的一种新型硅光电探测器的可靠性和寿命。在正常工作条件(300K)时,器件的平均寿命为1.04×108h;在40℃时,器件的失效率等级达到国家标准规定6级。详细分析了光敏二极管的失效模式及失效机理,提出了提高光敏二极管的可靠性和寿命的措施。

关 键 词:光敏二极管  威布尔概率  可靠性  寿命  失效模式  失效机理
文章编号:1005-0086(2003)05-0466-03
修稿时间:2002-08-20

The Analysis for Reliability and Life of the Photo-sensitive Diodes
Abstract:
Keywords:photo-sensitive diode  Weibull probability  reliability  life  invalid pattern  invalid mechanism
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