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| 超磁致伸缩致动器中偏置磁场的有限元模拟 | |
| 作者姓名： | 牟星 唐海军 高学绪 包小倩 李纪恒 |
| 作者单位： | 北京科技大学新金属材料国家重点实验室;中国民航科学技术研究院; |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划资助项目(2011AA03A404) |
| 摘 要： | 用Ansoft软件对超磁致伸缩致动器中的偏置磁场进行研究,主要分析四种磁路结构的磁场均匀性及磁场强度,为器件设计提供依据。结果表明,两层及三层圆盘状永磁体施加偏场的均匀性一般,磁场强度变化范围分别为10~12kA/m、15~25kA/m;增加线圈后均匀性降低,但磁场强度分别增加到23~27kA/m、35~65kA/m。圆桶状永磁体施加偏场的均匀性最好,磁场强度变化范围50.7~50.9kA/m。双层圆环状结构可以提供稍高的磁场强度,磁场强度变化范围50~52kA/m。 |
| 关 键 词： | 超磁致伸缩致动器 偏置磁场 磁路 模拟 |
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