铁氧体薄膜器件的光刻多次涂胶工艺

提出了铁氧体薄膜器件光刻多次涂胶新工艺,研究了涂覆次数对光刻胶的表面粗糙度、均匀性和厚度的影响。同时结合培烘试验,对一种实际电路基片进行了验证。试验结果表明:随着光刻胶涂覆次数的增加,光刻胶厚度逐渐增大,增加幅度逐渐减小,涂覆光刻胶的表面粗糙度有明显改善,均匀性也逐渐提高。当烘焙温度为50℃、烘焙时间为25min,光刻胶与基底的附着力、感光性和耐腐蚀性均能满足铁氧体器件薄膜电路制作工艺的要求。利用多次涂胶法可有效去除电路手工修补工艺,从而提高铁氧体薄膜器件的电路图形加工质量及效率。