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| 氧含量与溅射气压对NiO薄膜形貌和结构的影响 | |
| 引用本文： | 曾玉琴,杨艳,余忠,孙科,朱光伟,许志勇,兰中文.氧含量与溅射气压对NiO薄膜形貌和结构的影响[J].磁性材料及器件,2014(3). |
| 作者姓名： | 曾玉琴 杨艳 余忠 孙科 朱光伟 许志勇 兰中文 |
| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;成都工业学院通信工程系; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(51101028);中央高校基金资助项目(E022050205) |
| 摘 要： | 利用直流反应磁控溅射在O2和Ar混合气氛下,在Si(111)衬底上沉积NiO薄膜,采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜晶体结构及形貌进行分析,研究了氧含量和溅射气压对NiO薄膜择优取向和表面形貌的影响。结果表明:低氧含量下,NiO(220)晶面择优生长,薄膜表面为典型的蠕状结构;较高氧含量下,薄膜择优(111)晶面生长,织构呈现有序状态;随着溅射气压的增高,择优取向先变差再变明显,薄膜晶粒先增大后减小。 |
| 关 键 词： | NiO薄膜 氧含量 溅射气压 微观结构 形貌 择优取向 |
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