| 漏轻掺杂MOSFET的源漏穿通 |
| |
| 引用本文： | 谢连生,陈学良,徐元森.漏轻掺杂MOSFET的源漏穿通[J].半导体学报,1989,10(3):227-229. |
| |
| 作者姓名： | 谢连生 陈学良 徐元森 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所 上海
(谢连生，陈学良)，中国科学院上海冶金研究所 上海(徐元森) |
| |
| 摘 要： | 测量和分析了1μm LDD MOSFET的穿通特性,与常规结构的MOSFET加以比较.结果表明,LDD结构能够有效地抑制DIBL效应、大幅度地提高短沟道MOSFET的源漏穿通电压.此外,还给出LDD MOSFET源漏穿通机制的定性解释.
|
| 关 键 词： | MOSFET 源漏穿通 掺杂 LDD |
Punchthrough Characteristics of LDD MOSFET's |
| |
| Xie Liansheng/.Punchthrough Characteristics of LDD MOSFET''''s[J].Chinese Journal of Semiconductors,1989,10(3):227-229. |
| |
| Authors: | Xie Liansheng/ |
| |
| Affiliation: | Xie Liansheng/Shanghai Institute of Metallurgy,Academia SinicaChen Xueliang/Shanghai Institute of Metallurgy,Academia SinicaXu Yuansen/Shanghai Institute of Metallurgy,Academia Sinica |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | LDD MOSFET short-channel MOSFET Punchthrough DIBL effect |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
