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| 第3代半导体材料在光电器件方面的发展和应用 | |
| 引用本文： | 王军喜,刘喆,魏同波,王国宏.第3代半导体材料在光电器件方面的发展和应用[J].新材料产业,2014(3):18-20. |
| 作者姓名： | 王军喜 刘喆 魏同波 王国宏 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | <正>一、第3代半导体材料概述第3代半导体材料是继第1代半导体材料和第2代半导体材料之后,近20年刚刚发展起来的新型宽禁带半导体材料。第3代半导体材料以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)和氮化铝(AlN)等宽禁带化合物半导体为代表,其具有高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及高抗辐射能力等特点,因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件,在光电子领 |
| 关 键 词： | 宽禁带半导体材料 光电器件 抗辐射能力 半导体照明 氮化铝 典型应用 半导体技术 碳化硅 光电子 氧化锌 |
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